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本发明公开了一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法；本发明将WS2固体粉末放在石英舟中，基底放在石英舟载气气流下游方向，距离石英舟水平距离20cm；将硼氨烷放在石英试管中，并位于石英管载气上游端，将石英舟和石英试管加热保温一段时间后，冷却得到硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜。本专利采用硫化钨(WS2)固体粉末作为硫化钨薄膜生长的前驱物，硼氨烷作为掺杂元素硼(B)、氮(N)的前驱物，通过化学气相沉积法(CVD)合成B，N共掺杂的大面积、连续二硫化钨薄膜，对于研究硫化钨的共掺杂、改善硫化钨的电学性能、催化性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112795898 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202011590101.0
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 杭州电子科技大学
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