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本发明公开了一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法。单晶薄膜体声波谐振器的制备较为困难。本发明首先在压电薄膜上沉积电极，然后与制备有同样金属电极图案的晶圆通过金属原子键合工艺连接在一起；其中制备有同样金属电极图案的晶圆下方含有待释放的空腔或布拉格反射层；然后去掉压电薄膜的衬底晶圆，再沉积金属上电极形成谐振器。本发明工艺制备流程中不对单晶的压电薄膜直接操作，保证了单晶压电薄膜的质量，进而提高器件的性能，从而能制备得到高频率、高Q值的单晶薄膜体声波谐振器。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112803910 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202011593427.9
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 杭州电子科技大学
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