一种半导体工艺腔室.pdfVIP

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本发明公开一种半导体工艺腔室,包括腔室、壳体、介质窗、线圈、热风罩和风道,壳体罩设在腔室上,介质窗位于壳体内并位于腔室的开口上,热风罩位于壳体内,线圈设于壳体内顶壁,风道与壳体固定,风道的通气端位于壳体外,风道的转接端位于壳体内,并与热风罩的风道口相连,本申请通过将热风罩与介质窗直接固定,并与内顶壁之间形成避让间隙,避免热风罩和壳体之间的相互挤压,进而避免壳体内顶壁应挤压变形造成线圈结构破坏,确保离子和自由基的分布均匀性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820616 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110062620.8 (22)申请日 2021.01.18 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司

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