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半导体结构的制造方法及半导体结构.pdfVIP

半导体结构的制造方法及半导体结构.pdf

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    本发明提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底中形成有有源区和隔离区；在有源区内形成沟槽，沟槽包括位于上部的第一沟槽以及位于下部且与第一沟槽连通的第二沟槽，第一沟槽的宽度大于第二沟槽的宽度；在第一沟槽和第二沟槽内形成栅极结构。本发明通过第一沟槽的宽度大于第二沟槽的宽度，使得沟槽的形状为倒置的凸字型，即，沟槽的侧壁包括顺次连接的第一段、第二段以及第三段，第二段与第一段相互垂直，相对于沟槽的形状为U型而言，在不增加沟道深度的前提下，能够

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864155 B (45)授权公告日 2022.05.03 (21)申请号 202110004446.1 (56)对比文件 (22)申请日 2021.01.04

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