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本发明涉及半导体技术领域,提出一种有源区的制备方法及半导体器件。该制备方法包括:在基底的预设区域形成多条按照预设规律排布的有源区,有源区具有相同的长度;通过第一掩模板对有源区进行第一次修调,以形成第一子有源区,第一子有源区的长度小于等于有源区的长度;通过第二掩模板对第一子有源区进行第二次修调,以形成第二子有源区,第二子有源区的长度小于等于第一子有源区的长度;预设区域分为边缘区域和内部区域,第一掩模板能够遮挡有源区的端部,以使位于边缘区域的第二子有源区的长度大于等于位于内部区域的第二子有源区的长度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112885781 B
(45)授权公告日 2022.06.24
(21)申请号 201911205146.9 (56)对比文件
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