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一种氧离子注入构建薄膜传感器渐变过渡结构的制备方法.pdfVIP

一种氧离子注入构建薄膜传感器渐变过渡结构的制备方法.pdf

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    本发明提供了一种氧离子注入构建薄膜传感器渐变过渡结构的制备方法；该方法为对薄膜过渡层材料进行氧离子注入，最终形成由下往上依次为过渡层材料、富Al层、渐变过渡层和热氧化层的渐变过渡结构。本发明采用氧离子注入构建渐变过渡结构，实现由金属相到陶瓷相的渐变过渡，降低热处理温度，减小长时间高温处理对基底材料力学性能和机械性能的影响，同时将薄膜传感器的应用范围推广到中低温；本发明中采用氧离子注入构建的渐变过渡结构的表面为致密氧化层，与薄膜传感器的陶瓷绝缘层构成协同作用，进一步抑制金属基底与敏感层之间的导电电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112853295 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110020147.7 (22)申请日 2021.01.07 (71)申请人 中北

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