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    本发明提供一种MTJ器件，所述MTJ器件包括：依次层叠设置的固定层、绝缘势垒层和自由层，其中，所述固定层和所述自由层垂直磁化，所述自由层的厚度大于所述MTJ器件的直径，所述自由层包括层叠设置的第一自由层和第二自由层，所述第一自由层与所述绝缘势垒层接触，所述第二自由层位于所述第一自由层远离所述绝缘势垒层的一侧表面，所述第二自由层的磁阻尼系数小于0.002。本发明的MTJ器件具有较低的写入电流，可提升数据保存时间，同时可提升MRAM的存储密度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112885960 B (45)授权公告日 2022.08.23 (21)申请号 201911210266.8 (56)对比文件 (22)申请日 2019.11.29

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