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本发明提出一种中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，本发明采用先进的多晶化学机械研磨(CMP)工艺，利用CMP对SiO2和silicon的选择比,停在SiO2界面。本发明的方法比传统制备方法的光刻次数更少，达到同样多晶管产品需要的效果。整个工艺流程包括Deeptrench,Gatetrench,Npluse,Cont,Metal,Passivation共6次光刻,比常规流程减少一个光刻层，减少工艺成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864236 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110255880.7
(22)申请日 2021.03.09
(71)申请人 上海恒灼科技有限公司
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