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本发明提供了一种用于核辐射探测成像的大面积金属卤化物钙钛矿单晶阵列的外延生长方法,包括步骤如下:将带有镂空阵列的掩模版置于经预处理的CsPbBr3(CPB)衬底上;之后将钙钛矿前驱体溶液转移至掩模板上,覆盖整个掩模板表面,控制相对湿度为30%‑50%,待溶剂挥发完后,将掩膜版与衬底分离,得到带有掩膜版的单晶阵列,即为大面积金属卤化物钙钛矿单晶阵列。本发明的方法,可以生长得到大面积的、结晶取向一致的钙钛矿单晶阵列,并且通过控制掩模板镂空阵列的大小,得到不同尺寸的钙钛矿单晶晶粒。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112853487 B
(45)授权公告日 2022.05.27
(21)申请号 202011640899.5 C30B 19/12 (2006.01)
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