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本发明提供一种半导体器件及其制造方法,半导体器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底内具有浅沟槽及所述浅沟槽限定的有源区,在沿预设方向上,所述浅沟槽具有交替排布的第一区域及第二区域,所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度;浅沟槽隔离结构,填充在所述浅沟槽内,在所述第一区域,所述浅沟槽隔离结构至少包括依次设置的第一填充层及第二填充层,其中,所述第二填充层为低K介质层,在所述第二区域,所述浅沟槽隔离结构至少包括所述第一填充层。本发明优点是,利用第二填充层(低K介质材料)的隔离作用而阻挡电子的流通,从而
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112864151 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110047836.7 (56)对比文件
(22)申请日 2021.01.14
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