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2023-06-08 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有浅沟槽及所述浅沟槽限定的有源区，在沿预设方向上，所述浅沟槽具有交替排布的第一区域及第二区域，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度；浅沟槽隔离结构，填充在所述浅沟槽内，在所述第一区域，所述浅沟槽隔离结构至少包括依次设置的第一填充层及第二填充层，其中，所述第二填充层为低K介质层，在所述第二区域，所述浅沟槽隔离结构至少包括所述第一填充层。本发明优点是，利用第二填充层(低K介质材料)的隔离作用而阻挡电子的流通，从而

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864151 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110047836.7 (56)对比文件 (22)申请日 2021.01.14

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