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发光二极管结构及其制造方法.pdfVIP

发光二极管结构及其制造方法.pdf

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    本发明涉及一种LED结构，包括基板、键合层、第一掺杂型半导体层、多重量子阱层(MQW层)、第二掺杂型半导体层、钝化层以及电极层。键合层形成在基板上，并且第一掺杂型半导体层形成在键合层上。MQW层形成在第一掺杂型半导体层上，第二掺杂型半导体层形成在MQW层上。第二掺杂型半导体层包括通过离子注入制成的隔离材料，并且钝化层形成在第二掺杂型半导体层上。电极层形成在钝化层上，通过钝化层上的第一开口与第二掺杂型半导体层的一部分接触。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864290 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202110322711.0 (51)Int.Cl.

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