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本公开提出一种半导体结构及其制备工艺、电子装置。半导体结构包括芯片以及绝缘层。芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面,第一表面为芯片的功能面,第二表面呈非平面状结构,以使第二表面的表面积大于第一表面的表面积。绝缘层形成并包覆于芯片的第二表面和侧面。通过上述设计,本公开使得芯片第二表面的表面积增大,从而增大芯片的散热面积,进而进一步优化芯片和整个半导体结构的散热效果。本公开还能利用绝缘层增强芯片与其他层叠结构之间的粘结牢固程度,进而提升半导体结构的结构强度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112885792 A
(43)申请公布日
2021.06.01
(21)申请号 20191
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