一种基于隧穿式磁电阻阵列的差动式MEMS加速度计.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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一种基于隧穿式磁电阻阵列的差动式MEMS加速度计.pdf

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本发明公开了一种基于隧穿式磁电阻阵列的差动式MEMS加速度计，包括下层的磁场发生与检测部分、上层的磁场调制部分以及两部分所在的安装框架，所述磁场发生与检测部分包括励磁线圈、隧穿式磁电阻和磁场聚集器，能够产生恒强磁场并检测该磁场受调制器影响的变化；所述上层的磁场调制部分主体为质量‑挠性结构，质量块下表面设置磁场调节器，能够调制磁场。另外，本发明的加速度计还有差动检测结构，能够提高灵敏度、降低温度噪声。本发明是一种加速度‑磁场强度‑电阻的信号转化方式，充分利用隧穿式磁电阻的高变化率特性提高加速度检测

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112858720 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110162154.0 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人东南大学地址 21

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