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2023-06-08 发布于四川
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一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件.pdf

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本发明提供一种具有屏蔽栅电极的GaN异质结纵向半导体器件，纵向半导体器件包括半元胞结构，半元胞结构包括GaNN型重掺杂层、GaNN型漂移区层、势垒层、漏极、源极和栅极，漏极、GaNN型重掺杂层、GaNN型漂移区层和势垒层自下而上依次层叠设置，源极设在势垒层的上方。源极的下方设有介质槽，介质槽在纵向上贯穿势垒层并向下延伸至GaNN型漂移区层内，介质槽的底壁位于GaNN型漂移区层的上表面和下表面之间，介质槽内设置有隔离介质。半元胞结构还包括屏蔽栅电极，栅极与屏蔽栅电极均位于介质槽内并沿纵

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864226 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110252841.1 (22)申请日 2021.03.09 (71)申请人英诺赛科（珠海）科技有限公司

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