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本发明提出了一种半导体器件及其制程方法。半导体器件包括硅基板(100)，多个磊晶(110)，邻近两个磊晶(110)之间形成的沟道(120)，栅极堆叠件(200)，栅极间隔件(300)，介电层(500)；还包括：贯穿介电层(500)、栅极间隔件(300)并连接至磊晶(110)的第一连通孔(700)，贯穿介电层(500)并连接至栅极堆叠件(200)的第二连通孔(710)；连通孔孔壁上覆盖有钽基衬套、钴层衬套；钴层衬套所围的空间填充有铜填充部。本发明的半导体器件及其制程方法设计新颖，实用性强。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112885776 A
(43)申请公布日
2021.06.01
(21)申请号 20191
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