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2023-06-08 发布于四川
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发光二极管芯片及其制造方法.pdf

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本公开提供了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域.发光二极管芯片的N型电极和P型电极上均具有焊点，焊点包括基础部和位于基础部上的覆盖部，基础部包括多个周期交替生长的Ti层和Al层，覆盖部包括依次层叠的第一覆盖层、第二覆盖层、第三覆盖层、第四覆盖层和第五覆盖层，第一覆盖层为Ni层，第二覆盖层和第四覆盖层均为Ni和Pt的合金层，第三覆盖层为Pt层，第五覆盖层为Au层；第三覆盖层上具有用于供第二覆盖层和第四覆盖层连通的通孔，部分第二覆盖层和部分第四覆盖层在通孔内连通。该发光二极管芯片可以

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112885935 B (45)授权公告日 2022.03.18 (21)申请号 202011561639.9 H05K 1/18 (2006.01) (22)申请日 2

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