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本发明公开了一种提高SiCMOSFET器件短路故障响应速度的电路,包括去饱和比较电路、驱动电路、第一电流通道、第二电流通道和箝位电路。本发明通过增设去饱和充电回路,来提高去饱和检测电容的充电速度;当发生短路时,此时箝位电路的电压升高,由于在第一电流通道的基础上增加了第二电流通道,去饱和电容电压升高速度更快,实现故障开关管的快速关断,从而快速抑制开关管短路电流,降低了短路故障对器件的损害。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112865767 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110030399.8
(22)申请日 2021.01.11
(71)申请人 南京航空航天大学
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