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集成电路的后段制程金属化叠层中的选择性互连.pdfVIP

集成电路的后段制程金属化叠层中的选择性互连.pdf

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    一种集成电路(IC)器件结构，包括：主芯片，具有器件层和在器件层的相邻第一和第二区域之上的一个或多个第一金属化层级。第一金属化层级互连到器件层。互连芯粒在第一区域内的第一金属化层级之上。互连芯粒包括多个第二金属化层级，以及多个第三金属化层级，在第二区域内的第一金属化层级之上并且与互连芯粒相邻。互连特征尺寸或组成中的至少一个在第二金属化层级中的一个第二金属化层级与第三金属化层级中相邻的一个第三金属化层级之间不同。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864128 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202011007713.2 (22)申请日 2020.09.23 (30)优先权数据 16/696,80

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