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一种光刻胶显影残渣去除方法.pdfVIP

一种光刻胶显影残渣去除方法.pdf

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    本发明涉及半导体芯片加工制造领域。本发明提供一种光刻胶显影残渣去除方法，在常规显影装置机械臂上增加一套二流体喷嘴，所述二流体喷嘴将去离子水和高纯氮气同时喷洒到硅片表面，并通过机械臂带动所述二流体喷嘴移动，实现对整个硅片的扫描式清洗。与加大显影液用量和延长显影时间相比，本发明提出的方案仅仅需要简单的设备改造和程式修改，可以将光刻胶残渣彻底去除，而不影响图案的关键尺寸和形貌，从而节约成本、提高产能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112859555 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110160658.9 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人 长春长光圆辰微电子技术有限公司

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