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本发明提供一种GaAsE/D工艺低功耗反相器电路，Vin为TTL控制逻辑电平，经过6个二极管降压，将TTL逻辑控制信号转化为能够满足GaAsE管打开或关断需求的高低电平的‑4/‑5V。电位平移末端的D管(DM1)漏极与第一级反相中的E管(EM3)栅极相连，第一级输出(Vout1)连接一个栅极和源极相连的E管(EM4)漏极接到第二级反相中的E管(EM6)栅极，并通过E管(EM6)漏极作为第二级输出(Vout2)。最终得到一对互补的差分信号，输出高低电平分别为0/‑4.95V，能够满足GaAs开
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112865783 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110092387.8
(22)申请日 2021.01.24
(71)申请人 合肥芯谷微电子有限公司
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