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本公开提供一种半导体器件、半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制备方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底包括间隔设置的隔离结构及位于相邻两个隔离结构之间的第一有源区，第一有源区具有预设外延区；在预设外延区形成预设半导体层，预设半导体层的电子亲和能大于半导体衬底的电子亲和能；在预设半导体层和半导体衬底共同构成的表面形成栅介质层；在栅介质层的表面上形成栅极层。本公开的半导体器件、半导体结构及其制备方法可减小栅极层厚度，提高栅极层的栅极控制能力，减小短沟道效应，简化制备工艺，降低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112885780 A
(43)申请公布日
2021.06.01
(21)申请号 20191
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