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存储器及其形成方法.pdfVIP

存储器及其形成方法.pdf

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    本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过使有源区阵列中的有源区和位于有源区阵列外围的边缘围设部具有不同的离子掺杂状况，使得边缘围设部不具备与有源区相同的导电性能，从而可避免位线在跨越边缘围设部时与边缘围设部电性导通，有效改善了位线通过边缘围设部发生短路而使得电信号难以传导至有源区阵列中的问题，保障了存储器的正常运行。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864099 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110261692.5 (22)申请日 2021.03.10 (71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司

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