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本发明提供了一种电迁移测试结构及电迁移测试方法，所述电迁移测试结构包括：待测金属互连结构；第一感测电极，与所述待测金属互连结构的一端电性连接；第二感测电极，与所述待测金属互连结构的另一端电性连接；至少一个第三感测电极，至少与所述待测金属互连结构的两端之间的位置电性连接；第一加载电极，与所述第一感测电极电性连接；以及，第二加载电极，与所述第二感测电极电性连接。本发明的技术方案能够避免影响芯片区的布线设计，且能够进行晶圆级的快速测试以及能够快速判断出电迁移失效的具体位置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864131 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110112497.6
(22)申请日 2021.01.27
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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