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改善栅漏电荷的沟槽型功率半导体器件及其制备方法.pdfVIP

改善栅漏电荷的沟槽型功率半导体器件及其制备方法.pdf

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    本发明涉及一种沟槽型功率半导体器件及其制备方法，尤其是一种改善栅漏电荷的沟槽型功率半导体器件及其制备方法。在元胞沟槽内设置上部绝缘栅氧化层以及下部绝缘栅氧化层，上部绝缘栅氧化层的厚度小于下部绝缘栅氧化层的厚度，通过上部绝缘栅氧化层厚度能使得阀值电压能够满足沟槽栅功率半导体器件的正常工作要求，保证功率半导体器件正常的开关动作，通过下部绝缘栅氧化层能有效降低米勒电容，改善栅漏电荷，并能提高功率半导体器件的可靠性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864250 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110032715.5 (22)申请日 2021.01.11 (71)申请人 江苏

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