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本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法,半导体结构的制作方法包括:提供基底,基底上具有多个相互分立的位线,相邻位线之间具有电容接触孔;形成填充满电容接触孔的填充膜,且填充膜内具有缝隙区域;采用第一刻蚀工艺,对填充膜进行刻蚀以打开缝隙区域,剩余填充膜作为第一填充层;在第一填充层表面依次堆叠形成至少两层基础填充层,距离基底最远的基础填充层填充满剩余电容接触孔;在垂直于基底且沿基底指向位线的方向上,基础填充层的掺杂浓度逐层减小;采用第二刻蚀工艺,对第一填充层和至少部分基础填充层进行刻蚀,以形成电容
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112864097 B
(45)授权公告日 2022.06.24
(21)申请号 202110049125.3 (56)对比文件
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