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一种多孔碳化硅陶瓷片及其制备方法,它属于碳化硅陶瓷片制备技术领域。本发明要解决的技术问题为制备用于物理气相输送法生长碳化硅的稳定原料。本发将碳化硅粉用稀盐酸酸洗、烘干,放入电阻炉中煅烧,然后制备得到的碳化硅、聚乙烯亚胺、乙醇,置于球磨罐中进行球磨,然后加入环氧树脂,搅拌后再加入四乙烯五胺,搅拌后得到混合浆料,定型后脱模,坯体烘干后,置于电阻炉中内以5‑8℃/min的升温速率升至550‑600℃保持30‑60min,继续升温至1350‑1400℃保持3‑5h,之后随炉冷却,得到一种多孔碳化硅陶瓷片
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112851396 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110347375.5
(22)申请日 2021.03.31
(71)申请人 哈尔
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