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一种半导体材料初始解理裂纹长度计算方法.pdf

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本发明设计一种半导体材料初始解理裂纹长度计算方法，包括：首先根据半导体材料晶胞结构确定最佳解理晶向，其次计算该晶向关键材料力学参数(弹性模量和泊松比)及断裂韧性，最后结合应力强度因子与断裂韧性公式获得最佳解理晶向初始解理裂纹长度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112861278 B (45)授权公告日 2022.04.15 (21)申请号 202110051691.8 US 2012234887 A1,2012.09.2

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