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2023-06-08 发布于四川
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本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法。所述芯片从下至上依次包括P电极、导电基板、第二焊接层、第一焊接层、P型欧姆接触层、P型AlGaN层、AlGaN多量子阱层、N型AlGaN层和N电极，其特征在于：在所述芯片四周和内部的P型AlGaN层、AlGaN多量子阱层和N型AlGaN层内含有沟槽，沟槽的底面和侧面有高反射率的复合反射镜，沟槽侧面和芯片表面具有合理的夹角，当TM偏振模式的深紫外光沿横向传播碰到沟槽侧面的复合反射镜时会发生反射而改变传播方向，使反射后的深

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864293 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110206189.X (22)申请日 2021.02.24 (71)申请人江苏大学地址 21

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