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2023-06-08 发布于四川
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具有有机磁阻效应的分子电子器件的制备方法.pdf

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本发明公开了一种具有有机磁阻效应的分子电子器件的制备方法，包括以下步骤：将光刻胶溶液旋涂在硅片上，在硅片上获得光刻胶薄膜，曝光，显影，于800～1200℃保持60～100min，得到第一碳层；在硝基苯四氟硼酸重氮盐溶液中加入四氟硼四丁基铵作为电解质，得到第二溶液，将第一碳层作为工作电极，将工作电极放入第二溶液中采用循环伏安法进行电化学沉积，在第一碳层上形成有机分子层；在有机分子层上贴上第二掩膜版，蒸镀碳，形成第二碳层；在第二碳层蒸镀金，在第二碳层上形成金层，得到分子电子器件。本发明分子电子器件的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112885959 B (45)授权公告日 2022.07.29 (21)申请号 201911204051.5 (56)对比文件 (22)申请日 2019.11.29

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