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2023-06-08 发布于四川
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一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置.pdf

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本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域。本发明通过依次在衬底上设置栅极、栅绝缘层和有源层，以及位于栅绝缘层上且覆盖部分有源层的源极和漏极，有源层的材料为氧化物半导体；薄膜晶体管还包括位于沟道区远离栅绝缘层一侧表面上的金属纳米颗粒层。通过在有源层的沟道区上方形成金属纳米颗粒层，提高沟道区的抗刻蚀能力，因此，后续在采用刻蚀液刻蚀源漏电极层薄膜以形成源极和漏极时，由于沟道区被金属纳米颗粒层覆盖，则刻蚀液不易与沟道区接触，使得沟道区不容易被刻蚀液所刻蚀，从而防止刻蚀

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864254 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110369564.2 (22)申请日 2021.04.06 (71)申请人京东方科技集团股份有限公司

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