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2023-06-08 发布于四川
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一种动态随机存取存储器及其形成方法，包括：衬底，衬底第一面和第二面，衬底包括若干有源区，各有源区均包括隔离区、沟道区和字线区；位于隔离区内的第一隔离层；位于字线区内的字线栅结构；位于沟道区第一面内的第一源漏掺杂区；位于第一面上的位线层；位于沟道区第二面内的第二源漏掺杂区；位于第二面上的若干电容结构。通过将位线层和电容结构排布在衬底的第一面和第二面上，能够有效降低电路布线以及制造工艺的难度。将电容结构排布在衬底的第二面，使得电容结构具有更大的结构空间，进而使得电容结构的存储容量增加。将位线层和电容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864158 B (45)授权公告日 2022.06.21 (21)申请号 202110373398.3 H01L 21/8242 (2006.01) (22)申请日 2021.

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