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2023-06-08 发布于四川
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一种氮化硅基复相导电陶瓷的制备方法.pdf

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本发明提供了一种氮化硅基复相导电陶瓷的制备方法，本发明以氮化硅为基体，同时添加导电相以及烧结助剂，采用两步微波烧结法，制备的氮化硅基复相导电陶瓷晶粒细小且均匀、致密度高，且强度、硬度等力学性能也得到了显著提升。本发明采用的两步微波烧结法，可抑制晶界迁移，并利用晶界扩散使坯体达到致密化；因此，该方法既可以抑制烧结后期晶粒的生长，同时又不会影响致密化的进行。实施例的结果显示，本发明提供的氮化硅基复相导电陶瓷的相对密度大于99％，维氏硬度大于15GPa，断裂韧性大于6MPa·m1/2，抗弯强度大于90

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112851365 B (45)授权公告日 2022.03.29 (21)申请号 202110140908.2 C04B 35/64 (2006.01) (22)申请日

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