一种NMOS晶体管及其制造方法、三维异质集成芯片.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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一种NMOS晶体管及其制造方法、三维异质集成芯片.pdf

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本发明公开了一种NMOS晶体管及其制造方法、三维异质集成芯片，涉及半导体技术领域，用于在制造锗基NMOS晶体管时，降低N型杂质激活温度，防止利用锗基NMOS晶体管作为三维异质集成芯片所包括的上层器件的情况下，引起三维异质集成芯片所包括的底层器件的性能退化，提升三维异质集成芯片的工作性能。所述NMOS晶体管的制造方法包括：在基底上形成鳍状结构。鳍状结构的材质为锗。向鳍状结构所包括源区形成区和漏区形成区内掺杂N型杂质。形成至少覆盖在源区形成区和漏区形成区上的金属层。对形成有鳍状结构和金属层的基底进行

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864229 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110249409.7 (22)申请日 2021.03.08 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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