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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种能提高最大输出功率的GaNHEMT。相比于传统GaNHEMT用单一的AlGaN作为势垒层，本发明插入AlN势垒层，并将其下方的AlGaN采用重掺杂，来和常规AlGaN一起构成GaNHEMT的势垒区域。AlN势垒层的使用可以改变沟道的电场分布，降低沟道峰值电场，进而提高器件耐压。而重掺杂AlGaN的区域可以提高的二维电子气浓度，进而改善器件的输出电流。值得注意的是，考虑到器件性能和可靠性因素，除栅极下方AlGaN重掺杂区域采用重掺杂外，势垒区的其它AlG
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864225 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110028991.4
(22)申请日 2021.01.11
(71)申请人 电子
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