- 1、本文档共14页,其中可免费阅读13页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种带电可擦除可编程只读存储器的操作方法,此带电可擦除可编程只读存储器在半导体基板上设置有晶体管结构,且晶体管结构具有第一导电闸极,同时,于第一导电闸极与源极和汲极交界处的半导体基板内或源极和汲极的离子掺杂区内更植入有同型离子,以增加该区域内的离子浓度,以降低写入及抹除的电压差,藉由本发明对应元件提出的操作方法,包括将汲极或源极设定为浮接的条件,进而可达到大量记忆晶胞的快速写入及抹除。本发明除了可以应用于单闸极晶体管结构之外,更适用于具有浮接闸极结构的带电可擦除可编程只读存储器。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112885834 A
(43)申请公布日
2021.06.01
(21)申请号 20191
文档评论(0)