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2023-06-08 发布于四川
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一种自校准的带隙基准电压三温TRIM的电路结构.pdf

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本发明为一种自校准的带隙基准电压三温TRIM的电路结构，应用于对基准电压温度系数要求较高的芯片中。随着芯片制造工艺进入纳米级，但电源电压往往不能同比例下降，导致MOS器件的漏电越来越严重。但是器件漏电模型的准确建立对工艺而言较为困难，目前许多工艺的器件漏电模型都不够准确。由于漏电大小受温度影响，漏电对带隙基准参考电压的温度系数产生了不可忽视的影响。漏电模型不够准确，带隙基准电路的设计遭遇了温度系数仿真结果与实际芯片测试结果差异很大的问题。这就需要在测试过程中对，带隙基准电压的温度系数进行trim

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112859997 B (45)授权公告日 2022.08.23 (21)申请号 202110150549.9 (22)申请日 2021.02.03 (65)同一申请的已公布的文献号

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