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一种空气中安全快速制备二维钙钛矿单晶的方法,属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂逆温快速结晶的方法制备高质量二维钙钛矿单晶(BA)2PbI4和(PEA)2PbI4,制备出的单晶为片状或条状的橙色晶体,横向尺寸为几百微米到几毫米,质量良好,可通过控制加热温度,可调制二维钙钛矿单晶生长速度和密度,并且可采用胶带剥离法将合成的单晶撕成原子级厚度的薄片。相比于之前的生长方法,此方法可在短时间内生长出大量的单晶,生长速度大大增加;并且生长过程不涉及强酸、低温,操作安全、便捷,对二维钙钛矿单晶的大批量生长
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112853486 B
(45)授权公告日 2022.03.04
(21)申请号 202011633295.8 (51)Int.Cl.
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