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从熔体中通过CZ法提拉半导体材料单晶的装置以及使用该装置的方法.pdfVIP

从熔体中通过CZ法提拉半导体材料单晶的装置以及使用该装置的方法.pdf

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    通过CZ法从熔体中提拉半导体材料单晶的装置，所述装置包括用于容纳熔体的坩埚；布置在坩埚周围的电阻加热器；用于观察熔体和生长中的单晶之间的相界的相机系统，其中该相机系统具有光轴；以及截头圆锥形的隔热罩，在其下端区域具有变窄的直径，且其被布置在坩埚的上方并围绕生长中的单晶，其特征在于：用于捕获颗粒的环形元件，其从隔热罩的内侧面向内突出，且在其内端具有朝向上方的捕集器边缘，其中相机系统的光轴在捕集器边缘和生长中的单晶之间延伸。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112888812 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 201980067068.2 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司

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