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本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法,浅沟槽隔离结构的制作方法包括:提供衬底;在衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层;在氮氧化硅层上形成依次贯穿氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层和部分衬底的凹槽;向凹槽填充氧化硅以形成浅沟槽隔离;采用酸蚀剂将氮氧化硅层和氮化硅层去除,以露出氧化硅层。通过采用酸蚀剂同时将氮氧化硅层和氮化硅层去除,相对于现有的采用干法刻蚀去除氮氧化硅层的方案,一方面,减少了干法刻蚀以及湿法清洗的工序,从而降低了成本,另一方面,相对干法刻蚀,采用酸蚀剂的工艺成本较低,进一步降
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864088 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110032273.4
(22)申请日 2021.01.11
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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