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本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层,外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层,金属电极层包括源漏金属层,其中,源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触,形成欧姆接触电极的机理,并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,增大金属电极层与外延层的接触面积,减小欧姆接触电阻,从而降低GaN器件的导通电阻,通过源漏电极区域的刻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864242 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202011644679.X
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 南方科技大学
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