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本发明是发光二极管装置,包括基板、第一导电垫及第二导电垫、发光二极管、金属突出物、高分子层以及上部电极。基板包含上表面。第一导电垫及第二导电垫位于基板上。发光二极管位于第一导电垫上。金属突出物位于第二导电垫上。高分子层覆盖基板的上表面、第一导电垫、第二导电垫、金属突出物以及发光二极管。自金属突出物的顶部至基板的上表面的距离大于高分子层的厚度。上部电极覆盖发光二极管、高分子层以及金属突出物,使得发光二极管电性连接第二导电垫。本揭露可借由在单一步骤中从高分子层中曝露发光二极管的上表面及金属突出物的顶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928193 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202011406465.9
(22)申请日 2020.12.03
(30)优先权数据
16/705,20
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