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2023-06-09 发布于四川
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一种改善SIC器件界面特征的方法及SIC器件.pdf

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一种改善SIC器件界面特征的方法，包括以下步骤：S1、把SiC元件装夹在打磨清洗机的元件台上，控制打磨清洗机根据需要的形状尺寸把SiC元件进行切割；S2、把切割好的SiC元件取出进行加热氧化使其表面形成一层氧化膜；S3、将加热氧化后的SiC元件进行退火处理；S4、把退火处理后的SiC元件装夹在打磨清洗机上对SiC元件表面氧化层进行打磨、清洗并风干；S5、把风干后的SiC元件取出对其表面进行紫外线照射；本发明通过步骤S4，通过设置打磨清洗机，可以通过控制激光强度打磨出不同厚度的氧化层，来精准控制氧

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115716165 A (43)申请公布日 2023.02.28 (21)申请号 202211258545.3 (22)申请日 2022.10.14 (71)申请人无锡惠吉通半导体有

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