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COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法.pdfVIP

COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法.pdf

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    本发明提供了一种COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，包括：制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件；在所述半导体器件表面涂覆一层氧化层；利用第一光罩刻蚀掉核心NMOS管和核心PMOS管所在区域的氧化层；利用第二光罩向核心NMOS管及输入输出PMOS管进行第一N型LDD离子注入及第一P型袋状离子注入；利用第三光罩向核心PMOS管及输入输出NMOS管进行第二N型LDD离子注入及第二P型袋状离子注入。利用核心N/PMOSLDD轻掺杂与输入输出N/PMOSLDD轻掺杂离子注入深度的不同，通过第

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112928068 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110330887.0 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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