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本发明涉及一种可指定晶格各向异性性能的晶格结构设计方法,属于多孔晶格结构的设计与性能控制技术领域。通过建立不同层的晶格结构与调整晶格层之间的参数实现晶格的各向异性控制。得到二层晶格模型的参数与各向异性指数的映射函数三层晶格模型的参数与各向异性指数的映射函数指定待设计晶格的各项异性指数为A,若|A–A3_ave||A–A2_ave|,则选定二层晶格桁架结构作为目标结构,并利用映射函数求得晶格参数;否则选定三层晶格桁架结构作为目标结构,并利用映射函数求得晶格结构设计参数。实现晶格各向异性的参数化设
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112926235 B
(45)授权公告日 2022.04.26
(21)申请号 202110111658.X G06F 119/14 (2020.01)
(22)申请日
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