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本申请涉及一种薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置。薄膜沉积方法包括：将基片放入炉管内，炉管包括用于放置基片的第一区段，第一区段具有反应气体的进气口；在第一预设时间内，将对第一区段进行加热的第一加热模块从第一初始温度加热至第一预设温度，第一加热模块包围第一区段；在第二预设时间内，保持第一加热模块持续处于第一预设温度；在第三预设时间内，将反应气体由进气口通入炉管内，且将第一加热模块由第一预设温度升温至第二预设温度，以于放置于第一区段的基片表面形成目标薄膜。本申请可以通过升温过程中的基片边缘与中央的升温速率
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112941489 A
(43)申请公布日 2021.06.11
(21)申请号 202110107889.3
(22)申请日 2021.01.27
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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