一种可控硅控制方法及装置.pdfVIP

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本发明公开了一种可控硅控制方法及装置,所述控制方法包括向可控硅的控制极提让可控硅导通的供触发信号,触发信号的控制频率fb与交流电频率fac之间具有频率差值fd,所述频率差值fd不为0,通过调整频率差值fd对负载功率进行调整。本发明通过向可控硅控制极提供触发信号,让可控硅导通,触发信号的控制频率fp与交流电频率fac之间具有频率差值fd,可控硅在交流电每个周期内导通的时间点均不相同,可控硅的导通角进行周期性的变化,根据频率差值fd可以计算出可控硅导通角,进而计算出负载电压,通过调整频率差值fd对可

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112929011 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110133012.1 (22)申请日 2021.01.29 (71)申请人 青岛经济技术开发区海尔热水器有

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