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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括中心区域及边缘区域，所述边缘区域包围所述中心区域；形成覆盖所述中心区域基底表面及所述边缘区域基底表面的核心层；在所述核心层内形成第一凹槽，所述第一凹槽底部露出所述基底表面，所述第一凹槽开口呈矩形，所述矩形的至少一个顶角位于所述中心区域核心层内；在所述第一凹槽侧壁上形成侧墙，所述侧墙呈矩形环状结构；刻蚀去除所述中心区域核心层直至露出基底表面，形成第二凹槽，所述侧墙及所述边缘区域核心层构成初始图形层。本发明能够提高所述初始图形层设计的灵活性，后

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112951719 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 20191

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