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本发明属于半导体器件制备领域，更具体地，涉及一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法。本发明制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上依次沉积底部电极、阻变层和顶部电极，获得若干个单器件忆阻器；(2)对每个单器件忆阻器进行电预处理；(3)在衬底上沉积金属，通过金属使得单器件忆阻器之间连接，获得忆阻器交叉阵列。本发明制备方法，采用光刻技术和物理或化学沉积技术首先制备大批交叉电极的忆阻器，并对每个器件进行电预处理，得到单器件的稳定状态，避免了由于电预处理的大电压带来的影响，器件结构简单、性能良好且稳定。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112951989 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110129845.0 审查员 蒋佳
(22)申请日 2021.01.29
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