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本发明提供在经过其中制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中，适于在实现大的晶片层叠数的同时效率良好地制造半导体装置的方法。在本发明的方法中，形成至少两个具有层叠结构的晶片层叠体，所述层叠结构包含具有元件形成面及背面的多个晶片，且在相邻晶片间以使元件形成面与背面相对的方式取向；在各晶片层叠体中形成贯通电极，所述贯通电极从晶片层叠体中位于层叠方向一端的第1晶片的元件形成面侧至超过位于另一端的第2晶片的元件形成面的位置贯穿着晶片层叠体内而延伸；通过对第2晶片的背面侧进行
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112956020 A
(43)申请公布日 2021.06.11
(21)申请号 201980070246.7 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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