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本发明属于有机薄膜晶体管制备相关技术领域,其公开了一种复杂曲面薄膜晶体管及自对准电流体共形光刻制造方法,包括以下步骤:(1)依次在曲面基底上制备底栅电极、底栅介电层及半导体层;(2)采用电流体喷印工艺在半导体层上制备纤维掩膜,电流体喷印时空间电场受曲面基底影响而空间分布畸变,使得产生的射流及纤维沉积在曲面基底的法向最短位点,进而实现法向曲面自对准;(3)采用纤维掩膜在半导体层上制备源漏电极及引线,且纤维掩膜位置处因存在高度差而自动生成沟道;(4)加热纤维掩膜以使纤维掩膜转变为熔融态,继而实现自对
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112928211 B
(45)授权公告日 2022.03.18
(21)申请号 202110280005.4 B82Y 30/00 (2011.01)
(22)申请日
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